某某工厂-专业生产加工、定做各种金属工艺品

　　天水天光半导体申请集成电路金属层光刻工艺优化专利提高集成电路芯片金属层的成品良率五金金融界2024年10月24日消息，国家知识产权局信息显示，天水天光半导体有限责任公司申请一项名为“集成电路金属层光刻工艺的优化方法和装置”的专利，公开号 CN 118800645 A，申请日期为 2024 年 9 月。

　　专利摘要显示，本申请公开一种集成电路金属层光刻工艺的优化方法和装置，属于半导体工艺技术领域，该方法通过集成电路金属层光刻工艺的过程参数集和成品良率的历史数据训练成品良率预测模型，计算每个过程参数对成品良率的第一影响程度以识别对成品良率具有显著第一影响程度的至少一个关键过程参数，计算关键过程参数的候选调节项组合对成品良率的第二影响程度，以选择最优的候选调节项组合对集成电路金属层光刻工艺进行优化。本申请可以降低集成电路金属层光刻工艺过程中金属层导线断条、局部残存铝点等不良问题，提高集成电路芯片金属层的成品良率。